據(jù)國(guó)際數(shù)據(jù)公司（IDC）最新報(bào)告顯示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在經(jīng)歷2024年的復(fù)蘇后，預(yù)計(jì)將在2025年實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)。覆蓋晶圓代工、IDM、封裝測(cè)試及光掩模制造的Foundry （晶圓代工廠）2.0市場(chǎng)將在2025年達(dá)到2980億美元規(guī)模，同比增長(zhǎng)11%。這印證了AI算力擴(kuò)張與傳統(tǒng)應(yīng)用復(fù)蘇對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈的深層重塑效應(yīng)。隨著臺(tái)積電、三星等頭部代工廠加速推進(jìn)2納米工藝量產(chǎn)，疊加Chiplet（芯粒）封裝技術(shù)商業(yè)化進(jìn)程提速，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正從單一制程競(jìng)賽轉(zhuǎn)向“材料-設(shè)備-設(shè)計(jì)”全生態(tài)協(xié)同創(chuàng)新的新階段。

AI需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)仍是晶圓代工市場(chǎng)擴(kuò)容的核心動(dòng)能。生成式AI模型訓(xùn)練所需的算力服務(wù)器集群，推動(dòng)先進(jìn)制程芯片訂單激增，臺(tái)積電3納米工藝產(chǎn)能利用率已接近95%，客戶排隊(duì)周期延長(zhǎng)至18個(gè)月以上。與此同時(shí)，非AI領(lǐng)域需求呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性復(fù)蘇：汽車電子受益于自動(dòng)駕駛滲透率提升，車規(guī)級(jí)MCU和功率器件訂單環(huán)比增長(zhǎng)23%；消費(fèi)電子端，折疊屏手機(jī)、AR/VR設(shè)備新品密集發(fā)布，帶動(dòng)OLED驅(qū)動(dòng)芯片、傳感器芯片需求回暖。IDC預(yù)測(cè)，2025年成熟制程（28納米及以上）產(chǎn)能將同比增長(zhǎng)8%，首次超過全球晶圓代工總增速，標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入“先進(jìn)制程與成熟制程雙輪驅(qū)動(dòng)”時(shí)代。

Foundry 2.0生態(tài)的革新正在重構(gòu)產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值分配。光掩模制造環(huán)節(jié)因EUV（極紫外光刻）技術(shù)普及而迎來爆發(fā)，日本信越化學(xué)、德國(guó)默克的光刻膠訂單量同比增幅達(dá)45%；封裝測(cè)試領(lǐng)域，臺(tái)積電CoWoS（晶圓級(jí)封裝）產(chǎn)能擴(kuò)建推動(dòng)相關(guān)設(shè)備采購(gòu)量激增，日立化學(xué)、ASM太平洋的鍵合機(jī)交付周期延長(zhǎng)至30周以上。值得關(guān)注的是，半導(dǎo)體材料本土化進(jìn)程加速，韓國(guó)SK IE Technology、中國(guó)滬硅產(chǎn)業(yè)的大硅片出貨量已占全球市場(chǎng)份額的28%，較去年同期提升5個(gè)百分點(diǎn)，材料成本占比的持續(xù)優(yōu)化為代工廠毛利率改善提供支撐。

當(dāng)前市場(chǎng)面臨的核心矛盾在于產(chǎn)能擴(kuò)張與需求波動(dòng)的平衡。盡管IDC預(yù)測(cè)Foundry 2.0市場(chǎng)在2025年將達(dá)到2980億美元的規(guī)模，同比增長(zhǎng)11%。但地緣政治風(fēng)險(xiǎn)與供應(yīng)鏈區(qū)域化趨勢(shì)可能抑制增長(zhǎng)彈性。美國(guó)《芯片法案》細(xì)則落地導(dǎo)致海外設(shè)備采購(gòu)周期延長(zhǎng)，歐洲《關(guān)鍵原材料法案》對(duì)鎵、銦等戰(zhàn)略物資的出口限制，進(jìn)一步推高了新興代工廠的擴(kuò)產(chǎn)成本。與此同時(shí)，AI芯片迭代速度加快導(dǎo)致傳統(tǒng)制程產(chǎn)能面臨過剩壓力，部分二線代工廠已出現(xiàn)成熟制程產(chǎn)能利用率跌破70%的情況。

技術(shù)層面，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正逼近物理極限與經(jīng)濟(jì)成本的交叉點(diǎn)。2納米工藝研發(fā)面臨量子隧穿效應(yīng)與光刻機(jī)分辨率的雙重挑戰(zhàn)，英特爾、三星等企業(yè)開始探索CFET（互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等顛覆性架構(gòu)，但相關(guān)技術(shù)商業(yè)化仍需5年以上周期。在此背景下，封裝技術(shù)的創(chuàng)新成為突破性能瓶頸的關(guān)鍵，英特爾EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術(shù)良率提升至90%以上，預(yù)示著三維異構(gòu)集成將成為下一階段競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。

短期來看，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)有望維持震蕩上行態(tài)勢(shì)，但需警惕二季度傳統(tǒng)淡季與庫(kù)存調(diào)整帶來的波動(dòng)。臺(tái)積電、聯(lián)電等代工廠最新財(cái)報(bào)顯示，客戶資本開支計(jì)劃較年初下調(diào)約12%，反映出產(chǎn)業(yè)界對(duì)需求可持續(xù)性的謹(jǐn)慎態(tài)度。中長(zhǎng)期而言，有媒體預(yù)計(jì)，2024年至2029年的復(fù)合年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)到10%，疊加汽車、工業(yè)等領(lǐng)域電氣化轉(zhuǎn)型，將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供持續(xù)增長(zhǎng)動(dòng)能。

（文中觀點(diǎn)僅供參考，不做投資依據(jù)）